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Semi-conducteurs extrinsèques de type p
Réseau cristallin
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Remarque : ce chapitre est très largement inspiré de la partie correspondante du remarquable Cours d'électronique pour ingénieurs physiciens de l'Ecole polytechnique fédérale de Lausanne, accessible par Internet à http://c3iwww.epfl.ch/teaching/physiciens/index.html

On peut faire les mêmes considérations qu'au paragraphe 3.1.2.3 concernant le nombre volumique des trous : il est approximativement égal au nombre volumique des impuretés. Le nombre volumique des électrons libres est alors considéré comme négligeable. Il s'ensuit un modèle, représenté à la figure ci-dessous, dans lequel n'apparaissent que les charges prépondérantes : les trous et les accepteurs ionisés.

modèle

Remarque : il faut remarquer que le semiconducteur extrinsèque, type p ou type n, est globalement neutre. On peut le comparer à un réseau géométrique dont certains noeuds sont chargés et dans lequel stagne un "gaz" de charges mobiles qui neutralise les charges fixes du réseau. On élargit, par la suite, la notion de semiconducteur de type nà un semiconducteur dont le nombre volumique des donneurs l'emporte sur celui des accepteurs et celle de semiconducteur de type p à un semiconducteur dans lequel le nombre volumique des accepteurs est prépondérant.
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