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Remarque : ce chapitre est très largement inspiré de la partie correspondante du remarquable Cours d'électronique pour ingénieurs physiciens de l'Ecole polytechnique fédérale de Lausanne, accessible par Internet à http://c3iwww.epfl.ch/teaching/physiciens/index.html Il existe, entre la région p et la région n, une barrière de potentiel UB0 énergétique pour les charges mobiles. L'existence de cette barrière se traduit par une différence de potentiel électrique liée au champ de rétention de la diffusion : Exemple : pour une jonction pn au silicium avec un dopage NA=1018cm-3 dans la région p et un dopage ND=1017cm-3 dans la région n, la hauteur de la barrière de potentiel à 300 K (27° C) à l'équilibre vaut 872mV. Remarque : la hauteur de la barrière de potentiel à l'équilibre est telle que les trous qui sont dans la région p ont une énergie moyenne qui est juste assez insuffisante pour leur interdire de passer la barrière de potentiel. Il en va de même pour les électrons qui se trouvent dans la région n.
http://www.gchagnon.fr/cours/courlong/3_2_4.html |