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Transistor au repos

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Remarque : ce chapitre est très largement inspiré de la partie correspondante du remarquable Cours d'électronique pour ingénieurs physiciens de l'Ecole polytechnique fédérale de Lausanne, accessible par Internet à http://c3iwww.epfl.ch/teaching/physiciens/index.html
Le transistor bipolaire(1) est un dispositif présentant trois couches à dopages alternés npn ou pnp :

schemas generaux des npn et pnp

La couche médiane est appelée base. Leur géométrie et leur nombre volumique en impuretés distinguent les deux couches externes : émetteur et collecteur. Par extension, on appelle également base, émetteur et collecteur les trois électrodes qui donnent accès aux trois couches correspondantes.
Les deux jonctions qui apparaissent dans le transistor sont désignées par le nom des deux régions entre lesquelles elles assurent la transition : on trouve, par conséquent, la jonction base-émetteur (BE) également dénommée jonction de commande et la jonction base-collecteur.
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  1. Ou Bipolar Junction Transistor.
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