Introduction |
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Le transistor MOS
IntroductionDéfinitions et principe de fonctionnement
Table des matières
Index
Remarque : ce chapitre est très largement inspiré de la partie correspondante du remarquable Cours d'électronique pour ingénieurs physiciens de l'Ecole polytechnique fédérale de Lausanne, accessible par Internet à http://c3iwww.epfl.ch/teaching/physiciens/index.html
En 1930, L. LILIENFELD de l'Université de Leipzig dépose un brevet dans lequel il décrit un élément qui ressemble au transistor MOS (Metal Oxyde Semiconductor) actuel. Cependant, ce n'est que vers 1960 que, la technologie ayant suffisamment évolué, de tels transistors peuvent être réalisés avec succès. En particulier, les problèmes d'interface oxyde-semiconducteur ont pu être résolus grâce à l'affinement de la technologie dans le domaine bipolaire, affinement requis pour obtenir des transistors de meilleure qualité. Aujourd'hui le transistor MOS constitue, par sa simplicité de fabrication et ses petites dimensions, l'élément fondamental des circuits intégrés numériques à large échelle.
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