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Le transistor MOS
Introduction
 Définitions et principe de fonctionnement
Table des matières
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Remarque : ce chapitre est très largement inspiré de la partie correspondante du remarquable Cours d'électronique pour
ingénieurs physiciens de l'Ecole polytechnique fédérale de Lausanne, accessible par Internet à http://c3iwww.epfl.ch/teaching/physiciens/index.html
Le transistor MOS est un transistor dit "à effet de champ" constitué d'un substrat semiconducteur (B) recouvert d'une couche d'oxyde sur laquelle est déposée
l'électrode de grille (G). Par le biais d'une différence de potentiel appliquée entre grille et substrat, on crée, dans le semiconducteur, un champ
électrique qui a pour effet de repousser les porteurs majoritaires loin de l'interface oxyde-semiconducteur et d'y laisser diffuser des minoritaires venus de deux îlots de type
complémentaire au substrat, la source (S) et le drain (D). Ceux-ci forment une couche pelliculaire de charges mobiles appelée canal. Ces charges sont
susceptibles de transiter entre le drain et la source situés aux extrémités du canal (cf. figure ci-dessus). Dans cette même figure, on a également
représenté les symboles des transistors MOS à canal n et à canal p. La flèche indique le sens de conduction des jonctions substrat-source (BS) et substrat-drain
(BD). Sauf près de l'interface oxyde-semiconducteur, ces jonctions sont polarisées en sens inverse. Dans la figure ci-dessous, on a représenté différents symboles
couramment utilisés pour les transistors MOS.
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