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Fonctionnement normal direct
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Remarque : ce chapitre est très largement inspiré de la partie correspondante du remarquable Cours d'électronique pour ingénieurs physiciens de l'Ecole polytechnique fédérale de Lausanne, accessible par Internet à http://c3iwww.epfl.ch/teaching/physiciens/index.html

La jonction BE détermine le débit des électrons. La jonction BC, polarisée en inverse, n'influence d'aucune manière le débit des électrons. On peut montrer qu'un courant circule alors de l'émetteur vers le collecteur, de la forme

I_E=I_sE[exp(U_BE/_UT)-1]

UT désigne la tension thermodynamique (cf. 3.2.5.2). Un courant s'installe aussi entre base et collecteur :

I_B=I_sB[exp(U_BE/_UT)-1]

On montre également que :
  • le courant base-collecteur est négligeable devant le courant émetteur-collecteur, et que par conséquent le courant "sortant" par le collecteur est approximativement égal au courant "entrant" par l'émetteur ;
  • le rapport entre le courant de collecteur et le courant de base est une constante, caractéristique du transistor, et est appelé gain de courant en mode direct, ou en mode F (F pour forward).
Lors de la fabrication des transistors on met tout en oeuvre pour que le courant de base en mode direct soit le plus faible possible. En particulier, l'émetteur est dopé beaucoup plus fortement que la base pour que les électrons injectés dans cette dernière soient plus nombreux que les trous injectés dans l'émetteur. De plus, on réalise des bases aussi étroites que possible de telle sorte que, pendant leur transit, les électrons n'aient que peu de chance de s'y recombiner. Le gain de courant en mode direct atteint des valeurs se situant entre 100 et 1000 pour des transistors de petite puissance (inférieure à 1W).
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