Fonctionnement normal inverse |
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Modes de fonctionnement du transistor
Définitions
Blocage
Fonctionnement normal direct
Fonctionnement normal inverseSaturation
Table des matières
Index
Remarque : ce chapitre est très largement inspiré de la partie correspondante du remarquable Cours d'électronique pour ingénieurs physiciens de l'Ecole polytechnique fédérale de Lausanne, accessible par Internet à http://c3iwww.epfl.ch/teaching/physiciens/index.html
La jonction BC détermine l'injection dans la base puis dans l'émetteur, indépendamment de la jonction BE. Les électrons de l'émetteur ne peuvent franchir la barrière de potentiel de la jonction BE ; il n'y aura par conséquent aucune influence de la tension UBE sur le débit des électrons. Les relations liant tension et courant sont similaires à celles du mode normal direct, à ceci près que la tension à considérer est UBC. On définit de même le gain ßR (R pour reverse) entre le courant de base et celui de collecteur, gain que l'on appelle gain de courant inverse, ou gain de courant en mode R.
Le gain de courant inverse, du fait de la technologie, est plus petit que le gain de courant direct : dans un transistor discret de petite puissance il peut être compris entre 1 et 10 alors qu'il devient beaucoup plus petit que 1 dans les transistors intégrés, c'est-à-dire fabriqués à partir de la même matrice en silicium.
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